4N；5N；6N；7N

主要用于制備II-VI族化合物半導(dǎo)體、太陽能電池、熱電轉(zhuǎn)化元件、合金、制冷元件、氣敏、熱敏、壓敏、光敏、壓電晶體和核輻射探測(cè)、紅外探測(cè)器等基礎(chǔ)材料。

真空封裝