4N；4.5N；5N；6N；7N

主要用于制備Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體InSb, BiSb, GaSb，高純合金，電子致冷元件材料以及鍺，硅單晶的摻雜劑，其氧化物還可作為阻燃劑。

真空封裝